Author: Admin View: Post Time: 2018 / 03 / 21
碳化硅(SiC),作為一種新型半導體材料,具有碳化硅的優(yōu)點(diǎn):更小的體積、更有效率、完全去除開(kāi)關(guān)損耗、低漏極電流、比標準半導體(純硅半導體)更高的開(kāi)關(guān)頻率以及碳化硅標準的125℃結溫以上工作的能力。
碳化硅正向導通大電流和反向截止千伏電壓之間快速執行開(kāi)關(guān)動(dòng)作,這樣的性能是值得一試的.SiC最初的成功應用和主要應用發(fā)二極管,用于汽車(chē)頭燈和儀表盤(pán)其他照明場(chǎng)合。其他的市場(chǎng)包括開(kāi)關(guān)電源和肖特基勢壘二極管。將來(lái)會(huì )應用到包括混合動(dòng)力車(chē)輛、功率轉換器(用于減小有源前置濾波器的體積)和交流/直流電機控制上。
這些更高要求的應用還沒(méi)有商業(yè)化,因為它們需要高質(zhì)量的材料和大規模的生產(chǎn)力來(lái)降低成本。碳化硅全世界范圍內,大量的研究經(jīng)費投入到了公司、實(shí)驗室和政府設施,以使SiC技術(shù)更加可行。一些專(zhuān)家預言,SiC技術(shù)的商業(yè)化、工業(yè)化甚至軍工應用將碳化硅2到5年或者更遠的時(shí)間內變成現實(shí)。